特許

J-GLOBAL ID：200903087427399307

欠陥のないプリントレチクルおよびその製造方法

発明者： ジョーン・エル・ニストラー
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153464
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118621
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 ICウェハのフォトリソグラフィ処理で使われるレチクルを製造する方法を提供する。【構成】 欠陥ボーティング技術を利用する最適化されたレイアウトの組合せ、およびエッチングされた石英のアプローチは、欠陥のないプリントマスク、またはレチクル10を高い確率で得るために利用される。この欠陥ボーティング技術は、それにより多数のパターンにその都度部分的なエッチングをするような方法で載せられる技術に言及している。位相シフタの層は、レチクルから半導体ウェハへの欠陥印刷可能性を減じる。SPLATを利用するモデル化は、ボーティング技術を利用する欠陥16、20、24の印刷の可能性と一緒に、欠陥印刷可能性上の位相遷移の結果を示す。したがって、マスクの欠陥があるかもしれないときは、これらの欠陥はウェハに印刷されない。

請求項（抜粋）：

欠陥のないプリントレチクルの製造方法であって、(a)透明な基板の主表面上に、不透明な層を形成するステップと、(b)前記不透明な層をパターニングして、前記下にある透明な基板部分を露出するステップと、(c)前記下にある透明な基板の前記部分を露出する位相シフトマスクの層を形成するステップと、(d)前記透明な基板の前記露出部分を予め選択された位相シフトの角度と等しい量だけ、途中まで位相エッチングするステップと、(e)全180°の位相シフトが達成されるまで、各々が前記位相シフトの角度に等しい一連のステップにおいて、前記位相シフトマスクの層をボーティングして、前記位相エッチングを達成するステップとを含む方法であって、前記レチクルの前記露出部分で複製されるいかなる位相の欠陥も、半導体ウェハ上に印刷されない、方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027