特許

J-GLOBAL ID：200903087437129430

多結晶シリコン製造プロセスにおけるシリコン直径及び温度の推定方法並びにこれを用いた操業管理方法

発明者： 揚 修一
出願人/特許権者： 株式会社住友シチックス尼崎
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324000
公開番号（公開出願番号）：特開2001-146499
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 シーメンス法より多結晶シリコンを製造するときの操業管理を高精度に行う。【解決手段】 反応炉内に設置されたシリコン棒の直径とシリコン棒に付与される電圧・電流とを用いて、特定時点におけるシリコン棒の抵抗率を求める。求めた抵抗率を用いて、特定時点におけるシリコン棒の温度を求める。求めた温度を用いて、特定時点における気相成長速度を求める。求めた気相成長速度を用いて、所定時間経過後のシリコン棒の直径を求め、直径の更新を行う。これを繰り返して所定時間毎にシリコン棒の直径及び温度を求め、これらを管理する。

請求項（抜粋）：

シーメンス法による多結晶シリコン製造プロセスにおいて、特定時点における棒状のシリコンの直径を用いて求めた当該シリコンの抵抗率から特定時点におけるシリコン温度を推定する第一のステップと、推定されたシリコン温度を用いて求めた気相成長速度から所定時間経過後のシリコン直径を推定する第二のステップと、前記特定時点におけるシリコン直径を、推定された所定時間経過後のシリコン直径に更新する第三のステップとを繰り返すことを特徴とする多結晶シリコン製造プロセスにおけるシリコン直径及び温度の推定方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 25/16

FI (2件)：

C30B 29/06 D ,  C30B 25/16

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077DB28 ,  4G077EA10 ,  4G077EH04 ,  4G077EH10 ,  4G077TJ12 ,  4G077TJ13