特許

J-GLOBAL ID：200903087442479287

半導体装置の製作方法

発明者： 竹 内 正 佳
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-157927
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063169
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置、特にシリコンウエハどうしを直接接合してなるSOI基板の製作方法に関するものである。【構成】 シリンコンウエハの直接接合によるSOI基板の作製において、サブストレート4と両面が鏡面を有するウエハ5とを接合後、サブストレートのウエハにレジストを塗布し、表面側をエツチングして一定の厚さとし、レジストを除去してSOI基板を製作する方法である。

請求項（抜粋）：

半導体装置であるSOI基板の製作方法として、SOI基板のサブストレートとなるウエハに酸化膜を形成し、レジスト塗布、酸化膜除去、レジスト除去を行いサブストレートのウエハを製作し、次に前記サブストレートのウエハと表・裏の両面が鏡面であるウエハを洗浄後親水化処理を行い、水素結合を利用し、熱処理を行つて、前記ウエハどうしの接合を行い、前記サブストレートのウエハにレジストを塗布し、表面側をエッチングして一定の厚さとし、レジストを除去してSOI基板を製作する半導体装置の製作方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321