特許
J-GLOBAL ID：200903087442695206
配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115923
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306989
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 ボーダーレスコンタクトを有する半導体装置の製造工程における配線形成時のパターニングずれで生じるコンタクト抵抗増加を軽減する配線形成方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜12にコンタクトホールの開口13を形成し、この開口13にバリア膜14とタングステンプラグ15を形成し、タングステンプラグ15表面を陽極酸化し、この陽極酸化膜をエッチングし、その後にバリア膜16、Al合金膜17、バリア膜18を堆積し、これらの膜をパターニングして配線2を形成する。【効果】 エレクトロマイグレーション発生による断線が抑えられて、半導体装置の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
ボーダーレスコンタクトを有する半導体装置の配線形成方法において、層間絶縁膜にコンタクトホールの開口を形成する工程と、前記開口に埋め込みプラグを形成する工程と、前記埋め込みプラグを酸化し、前記埋め込みプラグ表面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングする工程と、前記埋め込みプラグに接続する配線を形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
H01L 21/90 B
, H01L 21/28 301 R
