特許

J-GLOBAL ID：200903087442988998

半導体装置の製造方法

発明者： 坪野谷 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228331
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067806
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 加熱ステージの接触部分からは離れた箇所に位置するパッドに対しては、接着エネルギーを選択的に増大することにより、ワイヤボンド工程を簡素化する。【解決手段】 アイランド13上に第1の半導体チップ10を固着し、第1の半導体チップ10の上に第2の半導体チップ11を固着する。第2の半導体チップ11には第1の半導体チップ10からはみ出る突出部20を持つ。加熱ステージ21上に両チップを設置し、接触部22上に位置する第1のボンディングパッド12aには通常のプログラムで、突出部20に位置する第2のボンディングパッド12bにはエネルギー量を増大したプログラムでワイヤボンドする。

請求項（抜粋）：

外部接続用のボンディングパッドを形成した半導体チップを加熱ステージ上に設置し、前記ボンディングパッドの表面にキャピラリを用いてワイヤボンディングを行う半導体装置の製造方法であって、前記加熱ステージの接触部の上方に位置する第1のボンディングパッドと、前記加熱ステージの接触部分が位置しない箇所の上部に位置する第2のボンディングパッドとを有し、前記第1のボンディングパッドにワイヤボンドする際の衝撃荷重とワイヤに与える超音波出力に比べて、前記第2のボンディングパッドにワイヤボンドする際の衝撃荷重とワイヤに与える超音波の出力が大であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607

FI (4件)：

H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/60 301 K ,  H01L 21/607 B