特許

J-GLOBAL ID：200903087447707490

X線発生装置

発明者： 遠藤 一太 ,  佐藤 義久 ,  中山 光一 ,  関村 雅之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233517
公開番号（公開出願番号）：特開平8-096986
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 X線発生装置の多層膜ターゲットの構造が簡単で、且つ任意の膜厚及び膜厚間隔を選択することで強力なエネルギーを持つX線を発生させる。【構成】 本発明は、電子ビームを多層膜ターゲットに入射して多重干渉X線を発生させるX線発生装置において、前記多層膜ターゲット(13)は、前記電子ビームの通過領域となる薄膜部の膜厚を通過領域となる部分以外の膜厚よりも薄く形成されたシリコンウエハー等の複数の薄膜を前記薄膜の膜厚の厚い部分をスペーサとして積層することにより構成したことを特徴とする

請求項（抜粋）：

電子ビームを多層膜ターゲットに入射して多重干渉X線を発生させるX線発生装置において、前記多層膜ターゲットは、前記電子ビームの通過領域となる薄膜部の膜厚を通過領域となる部分以外の膜厚よりも薄く形成されたシリコンウエハー等の複数の薄膜を前記薄膜の膜厚の厚い部分をスペーサとして積層することにより構成したことを特徴とするX線発生装置。