半導体薄膜の製造方法と製造装置、及び半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140441
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331942
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】より品質の優れた結晶性シリコン膜を、低温でかつ簡易な工程で形成する製造方法及びその製造を提供する【解決手段】電子密度が1010〜1013個/cm-3であるような原料ガスのプラズマに加え、基板表面までのいずれかの箇所に設けられた表面反応機構部において、少なくとも原料ガスのプラズマ中での反応とは異なる反応工程で生成した反応生成物を用いて、結晶性の半導体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ガス導入口,真空排気口に接続された真空容器内において、半導体薄膜の構成元素を含む原料を減圧下で放電分解して発生したプラズマの電子密度が1010〜1013個/cm-3であり、前記プラズマ中のイオン及びラジカルを、前記プラズマの発生部近傍もしくはある一定の距離のところに置かれた基板に照射して薄膜を形成する工程と、前記真空装置内の少なくともプラズマ発生部から前記基板表面に至る近傍のいずれかの箇所に設置された、表面反応機構部分を具備した装置構成を有し、少なくとも前記プラズマ発生部におけるプラズマが原料ガスに与える得る、分解、励起、電離等の放電を伴う反応とは異なる前記表面反応過程により生成した反応生成物を含む気相構成物質を用い、前記基板上に結晶性の半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/507 , C23C 16/511 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/507 , C23C 16/511 , H01L 29/78 618 A

Fターム (58件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA24 , 4K030BA29 , 4K030BA31 , 4K030BB01 , 4K030BB03 , 4K030BB04 , 4K030BB12 , 4K030CA01 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA04 , 4K030FA10 , 4K030FA14 , 4K030FA15 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030JA20 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA10 , 5F045AA16 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE09 , 5F045AE11 , 5F045AF07 , 5F045AF08 , 5F045BB07 , 5F045CA15 , 5F045DA65 , 5F045DA68 , 5F045DP09 , 5F045EB02 , 5F045EH10 , 5F045EH11 , 5F045EH17 , 5F045EK07 , 5F045EK17 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG45 , 5F110GG48 , 5F110PP03

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