特許
J-GLOBAL ID：200903087454665914
3-5族化合物半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253268
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095007
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】セルフアラインGaAsFETのしきい値(ピンチオフ)電圧の再現性および均一性を向上させる。【構成】半絶縁性基板1の上に、高純度GaAsバッファ層2、N型GaAsチャネル層3、高純度AlGaAsゲート絶縁層4を積層し、その上にショットキゲート電極7をはさんでオーミック電極が形成されている。この電界効果トランジスタの高濃度N型チャネル層3に、キャリアとなるSiのほかに5族の燐(P)があらかじめドープされている。そのため、熱処理時にチャネル層のキャリアが5族位置に移動して電気的に不活性化する割合が減り、アニールなどの熱処理によるキャリア数の変動が抑制される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に高純度の第1の半導体層、第2の半導体層、および電子親和力が前記第2の半導体層より小さくかつ電子親和力と禁制帯幅との和が前記第2の半導体層より大きい材料からなる高純度の第3の半導体層が順次積層され、前記第3の半導体層上に複数のオーミック電極にはさまれたショットキ電極が形成され、前記第2の半導体層にN型不純物および5族の不純物がドープされている3-5族化合物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/203
