特許

J-GLOBAL ID：200903087457041903

電界効果トランジスタ

発明者： 冨士原 明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210192
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045897
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 InAlAs層を電子供給層とするFETにおいて、不純物等が電子供給層に到達してこれを変質させてしまうのを防止する。【構成】 半絶縁性InP基板1上に、高純度InAlAsバッファ層2、高純度InGaAsチャネル層3、電子供給層となる変調ドープInAlAs層4、高純度GaAs層5、高純度InAlAsショットキー層6、InGaAsオーミック接触層7を順次成長させ、オーミック接触層7上にソース電極8、ドレイン電極9を形成する。ソース電極8、ドレイン電極9間のオーミック接触層7を一部除去した後に、ショットキー層6上にゲート電極10を形成する。【効果】 InAlAsショットキー層6から不純物等が内部に拡散することがあってもGaAs層5において阻止されるため、電子供給層は汚染・変質から保護される。

請求項（抜粋）：

チャネルを構成する半導体層上にInAlAs電子供給層が形成されている電界効果トランジスタにおいて、InAlAs電子供給層上に、格子不整合による転位が導入されない程度の厚さのAlを含まない材料からなる保護層とInAlAsショットキー層とが形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-225239