特許

J-GLOBAL ID：200903087462982953

エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器

発明者： 野澤 陵一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122812
公開番号（公開出願番号）：特開2003-317960
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 発光層の寿命に影響することなく、映り込みやコントラスト低下などの外光の影響を低減した、エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】 基体121と、この基体121上に設けられた画素電極141、及び絶縁性材料からなる隔壁150と、第1電極141上に配置された発光層140Bを含む積層体140と、積層体140上及び隔壁上に配置された第2電極154とを備え、発光層140Bからの光を第1電極141側から取り出すエレクトロルミネッセンス装置70である。隔壁150における第2電極154との接合面に凹凸が形成され、この凹凸上の第2電極154が乱反射部151となっている。

請求項（抜粋）：

外光を乱反射する凹凸面を有した乱反射部を、備えてなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。

IPC (6件)：

H05B 33/14 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26

FI (6件)：

H05B 33/14 A ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/26 Z

Fターム (5件)：

3K007AB17 ,  3K007BB06 ,  3K007CC01 ,  3K007CC03 ,  3K007DB03