特許
J-GLOBAL ID：200903087474834593
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343812
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を収納した容器内に残留する、酸素等の半導体素子を酸化する物質を除去し、半導体素子の動作安定性を長期に渡って維持させる。【構成】 気密封止された容器1内に半導体素子4を収納した半導体装置において、容器1内に、半導体素子4の酸化を防止する半導体素子酸化防止材17を収納してある。又、上記の半導体素子酸化防止材17が、半導体素子4よりも酸化し易い金属にて形成されている。又、上記の酸化防止材17が、脱酸素剤である。又、半導体素子4よりも酸化し易い金属にて形成されている半導体素子酸化防止材17が、容器1の内壁に蒸着されている。更に又、容器1内に、乾燥剤を収納してある。
請求項（抜粋）：
気密封止された容器(1)内に半導体素子(4)を収納した半導体装置であって、前記容器(1)内に、前記半導体素子(4)の酸化を防止する半導体素子酸化防止材(17)を収納してある半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/26
, H01L 33/00
