特許
J-GLOBAL ID：200903087480190908

配線回路基板の製造方法、及び多層配線基板の製造方法

発明者：
飯島 朝雄

飯島 朝雄 について

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池永 和夫

池永 和夫 について

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大平 洋

大平 洋 について

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三成 尚人

三成 尚人 について

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遠藤 仁誉

遠藤 仁誉 について

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加藤 貴

加藤 貴 について


出願人/特許権者：
株式会社ノース

株式会社ノース について


代理人 (1件)： 三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-289319
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045191
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 生産性が高く、高集積化した配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 バンプ104が形成されている面に、液状の絶縁材料をカーテンコータ等により塗布し、ベーク処理を行うことにより絶縁膜107を形成する。絶縁膜107の表面部を、各バンプ104の頂面が完全に露出するまで研磨する。このように研磨することにより、絶縁膜107の膜厚とバンプ104の高さは等しくなる。そして、めっき法にて金属からなる突起物109を各バンプ104の頂面上に形成する。次に、配線膜形成用金属層101を部分的にエッチングすることにより配線膜111を形成する。各配線膜111は、エッチングストッパー層105を介してバンプ104と接続している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線膜形成用金属層の上に、エッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された多層金属板に対して、 前記バンプ形成用金属層の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングしてバンプを形成するバンプ形成ステップと、 前記レジストマスクを除去した後、前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングして除去するエッチングストッパー層除去ステップと、 前記バンプが形成された面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、 前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜を除去する絶縁膜形成ステップと、 を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K3/40 ,  H01L23/12 ,  H05K3/46
FI (6件)：
H05K3/40 K ,  H05K3/46 G ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 X ,  H01L23/12 L ,  H01L23/12 N
Fターム (43件)：
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317BB15 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD25 ,  5E317CD32 ,  5E317GG16 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD03 ,  5E346DD12 ,  5E346DD17 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346DD48 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE14 ,  5E346FF24 ,  5E346FF50 ,  5E346GG17 ,  5E346GG18 ,  5E346GG19 ,  5E346HH32
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (19件)
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