特許

J-GLOBAL ID：200903087480253632

成膜方法、多層膜成膜方法、成膜装置及びEUV露光装置

発明者： 神高 典明
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 渡部 温 ,  柳瀬 睦肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-280144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115861
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】安価でかつ簡易な構成の膜厚分布制御板により、容易にかつ高精度な成膜を実現することのできる成膜方法等を提供することを目的とする。【解決手段】単位制御板21、23を重ねて膜厚分布制御板11を構成し、それらの重ね合わせ角度を調整して、所望の周上開口率を有する合成開口12を形成する。そして、基板1と膜厚分布制御板11とを相対回転させつつ、ターゲット材2をスパッタし、基板1の成膜面1a上に成膜を行う。この際、ターゲット保持手段18は、ターゲット材2を、MoとSiとに交互に切り換えて、基板1の成膜面1a上にMo/Si多層膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

膜を構成する物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する際に、 前記基板表面の近傍に、飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板を配置し、 前記基板と前記膜厚分布制御板とを回転中心周りに相対的に回転させながら、前記開口を通った前記飛散物質を前記基板表面に堆積させて、該表面上に回転対称形の膜厚分布を有する膜を成膜する方法であって、 それぞれの開口プロフィルを有する複数枚の単位制御板を重ねて前記膜厚分布制御板を構成し、 該単位制御板の重なり姿勢を変えることにより、それぞれの開口プロフィルの重なり合った合成開口プロフィルを得、 該合成開口プロフィルの周上開口率の半径方向分布を変え、もって前記膜の膜厚分布を制御することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

C23C14/04 ,  G02B1/10 ,  G02B5/10 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (5件)：

C23C14/04 A ,  G02B5/10 C ,  G03F7/20 503 ,  H01L21/30 531A ,  G02B1/10 Z

Fターム (27件)：

2H042DA08 ,  2H042DB00 ,  2H042DC02 ,  2H042DD05 ,  2H042DD06 ,  2H042DE00 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  2K009BB02 ,  2K009CC14 ,  2K009DD07 ,  2K009DD09 ,  2K009EE00 ,  4K029AA24 ,  4K029BA11 ,  4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC37 ,  4K029EA01 ,  4K029HA01 ,  5F046GB01