特許
J-GLOBAL ID：200903087481756328
半導体レーザ装置およびその実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022708
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 簡単かつ歩留まりの良い組立を可能とするレーザアレイ装置及びその実装方法を得ることを目的とする。【構成】 ヒートシンク2の上にはSiCで形成されたサブマウント7がジャンクションアップ方式で載置され、その上にレーザアレイチップ3が載置されている。サブマウント7の表面には、レーザアレイチップ3のエレメント3a〜3cに対応してパターン配線8a〜8cが各々形成されている。エレメント3a〜3cは金線9a〜9cを介してパターン配線8a〜8cに各々接続されている。ヒートシンクブロック2の周囲には絶縁板10が設けられ、その表面にはリード端子4a〜4cに接続されたパターン配線11a〜11cが各々形成されている。【効果】 配線間の接触により個々の発振部が電気的に導通するなどの現象が低減されるので、動作不良の発生率が減少して歩留まりを向上する効果がある。
請求項（抜粋）：
装置全体を支持する支持基板と、半導体基板上に形成され、電極を有する発振部を備えた半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を載置するサブマウントと、前記サブマウントを載置する放熱体と、前記支持基板に垂直に挿設されたリード端子とを有し、前記支持基板に前記放熱体がサブマウント載置面が垂直になるように固定された半導体レーザ装置において、前記サブマウントの表面に前記発振部に対応して形成され、一方端が前記発振部の前記電極に接続された第1のパターン配線と、前記支持基板上面に前記放熱体を囲むように形成された絶縁板と、前記絶縁板上に、一方端が前記リード端子に接続され、他方端が前記第1のパターン配線の他方端に接続されるように形成された第2のパターン配線とをさらに備えた半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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