特許
J-GLOBAL ID:200903087483785481

パターニングされたシリカメソ構造体薄膜、メソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 徳廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-283100
公開番号(公開出願番号):特開2002-087812
出願日: 2000年09月19日
公開日(公表日): 2002年03月27日
要約:
【要約】【課題】 基板上の任意の位置に任意の方向に一軸配向性の細孔構造を有する任意の形状のシリカメソ構造体薄膜を提供する。【解決手段】 基板上に形成された高分子化合物薄膜上の任意の位置に配置されたシリカメソ構造体薄膜であって、該薄膜中の管状の細孔の配向方向が一軸方向に揃っていると共に該薄膜が所望の形状にパターニングされており、且つパターニングされた該薄膜の複数の領域の少なくとも一つ以上の領域の細孔の配向方向が異なっている一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜。
請求項(抜粋):
基板上に形成された高分子化合物薄膜上の任意の位置に配置されたシリカメソ構造体薄膜であって、該薄膜中の管状の細孔の配向方向が一軸方向に揃っていると共に該薄膜が所望の形状にパターニングされており、且つパターニングされた該薄膜の複数の領域の少なくとも一つ以上の領域の細孔の配向方向が異なっていることを特徴とする一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜。
IPC (2件):
C01B 37/02 ,  G02B 27/28
FI (2件):
C01B 37/02 ,  G02B 27/28 Z
Fターム (14件):
2H099AA01 ,  2H099AA11 ,  2H099BA17 ,  2H099CA05 ,  2H099CA11 ,  2H099DA00 ,  4G073BB58 ,  4G073BD01 ,  4G073BD11 ,  4G073BD18 ,  4G073CZ54 ,  4G073FB42 ,  4G073FC01 ,  4G073UB14
引用文献:
前のページに戻る