特許
J-GLOBAL ID:200903087484827455
処理粉体の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 洋子 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-249988
公開番号(公開出願番号):特開平8-092484
出願日: 1994年09月19日
公開日(公表日): 1996年04月09日
要約:
【要約】【目的】 環境上安全で、製造コストを低減化することのできる、安全で安定な処理粉体の製造方法を提供する。【構成】 Si-H基を有するシリコーン化合物で粉体を被覆後、該シリコーン化合物のSi-H基部分に、Si-H基と反応することのできる化合物を付加する処理粉体の製造方法において、反応溶媒として実質的に水のみを用いて前記付加を行うことを特徴とする処理粉体の製造方法。
請求項(抜粋):
Si-H基を有するシリコーン化合物で粉体を被覆後、該シリコーン化合物のSi-H基部分に、Si-H基と反応することのできる化合物を付加する処理粉体の製造方法において、反応溶媒として実質的に水のみを用いて前記付加を行うことを特徴とする処理粉体の製造方法。
IPC (6件):
C08L 83/06 LRX
, A61K 7/02
, A61K 7/42
, C08J 7/16
, C08K 9/06
, C09C 3/12 PCH
前のページに戻る