特許
J-GLOBAL ID:200903087486532606

保護素子、その製造方法、及び回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-195565
公開番号(公開出願番号):特開平7-153367
出願日: 1994年08月19日
公開日(公表日): 1995年06月16日
要約:
【要約】【目的】 電圧を検知して動作する保護素子を得ることを目的とする。【構成】 低融点金属6及び発熱体5と、検知素子とから構成される保護素子であって、この低融点金属6とこの発熱体5とが絶縁層4を介して接触され、発熱体5が検知素子により通電される保護素子である。
請求項(抜粋):
低融点金属及び発熱体と、検知素子とから構成される保護素子であって、上記低融点金属と上記発熱体とが絶縁層を介して接触され、発熱体が検知素子により通電されることを特徴とする保護素子。
IPC (6件):
H01H 85/00 ,  H01H 37/76 ,  H01H 69/02 ,  H01M 10/42 ,  H01M 10/44 101 ,  H02H 7/18
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 過電圧防止素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-258471   出願人:岡谷電機産業株式会社
  • 特開昭63-185002
  • 特開昭59-011695
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