特許

J-GLOBAL ID：200903087492673424

パターン形成方法

発明者： 田中 稔彦 ,  内野 正市 ,  岩柳 隆夫 ,  上野 巧 ,  鳥海 実 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-051325
公開番号（公開出願番号）：特開平5-158244
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】ネガ形ホトレジストを用いて、極度に微細なパターンを高い精度で形成する。【構成】逆ブリーチ特性を有するネガ形ホトレジストの所定領域に、このホトレジストの最高感度波長領域外の波長領域を有する光を照射し、現像する。【効果】レジストの初期透過率が極めて高くなり、露光光がレジスト膜の底部まで到達できるので、高精度のパターン形成が実現される。また、多量の感光剤を使用できるので現像コントラストが向上する。

請求項（抜粋）：

露光量の増加にともなって露光光の透過率が低下するネガ形ホトレジスト膜を被加工物上に形成する工程と、上記ホトレジ膜の所定領域に、上記ホトレジスト膜の初期透過率が膜厚1μm当り50%以上である波長領域を有する光を照射する工程と、上記ホトレジスト膜を現像する工程を少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 T