SOI半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山田稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013130
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151576
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】周囲の電位電動の影響が半導体素子に影響を及ぼさず、安定した素子特性を発揮可能な誘電体分離構造のSOI半導体装置を実現すること。【構成】誘電体分離基板を用いたSOI半導体装置1において、分離溝6は半導体層5の表面側からシリコン酸化膜4を貫通して半導体支持基板3に達するまで形成されて、そこに充填された多結晶半導体層8は半導体支持基板3に導電接続している。また、半導体支持基板3の裏面側には、半導体支持基板3を介して多結晶半導体層8に所定の電位を印加するための充填層電位規定用電極10が導電接続している。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に第1の絶縁膜を介して形成された半導体層と、この半導体層の表面側から前記第1の絶縁膜を貫通して前記半導体基板に達するまで形成されて前記半導体層に島状の素子形成領域を形成する分離溝と、この分離溝の側壁に形成された第2の絶縁膜と、前記分離溝内部に充填されて前記半導体基板に導電接続する充填層と、を有することを特徴とするSOI半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-005662
特開平2-275663
特開平1-238066

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