特許

J-GLOBAL ID：200903087499190305

荷電粒子線露光方法

発明者： 田村 貴央
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353279
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201720
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明は計算した領域についての情報をメモリに蓄えることにより、必要な計算量を減少させて計算時間の短縮化を図り、荷電粒子線リソグラフィ装置の高加速電圧化、半導体デバイスの高集積化に対応可能にした荷電粒子線露光方法を提供することを目的とする。【構成】強度計算ポイントA1 を設定し(ステップ105)、A1 を中心とする領域R1 が以前に計算した領域R0 と重なっている部分の有無について判定し、重なっている領域が存在する時は、この重なり領域におけるパターンの面積をメモリから読み出し、これを用いて重なり領域のパターン密度djkを計算する(ステップ106、107)。新たにパターン密度マップを作成してメモリに記憶し(ステップ109)、A1 が受ける電子線強度I1 を計算する(ステップ110〜111)。ステップ105〜111の処理が必要な回数、繰り返される。

請求項（抜粋）：

描画すべきパターン中の任意に設定した強度計算ポイントを中心とする強度計算領域内の各パターンから該強度計算ポイントが受ける荷電粒子線の強度を計算する第1の計算手段と、該強度計算領域内の各パターンの座標及び面積と該強度計算領域の座標とをそれぞれ記憶する第1の記憶手段と、単位密度あたりのパターンから受ける荷電粒子線の強度を計算する第2の計算手段と、前記強度計算ポイントを移動し、該移動した強度計算ポイントを中心とする強度計算領域がそれ以前に計算した強度計算領域との重なりの有無を比較判定する判定手段と、該判定手段により重なりがあると判定されたときは前記第1の記憶手段の記憶情報から該重なり領域におけるパターン密度を読み出す読み出し手段と、前記移動した強度計算ポイントを中心とする強度計算領域がそれ以前に計算した強度計算領域との重なりが無い部分のパターン密度を計算する第3の計算手段と、該第3の計算手段により計算したパターン密度を記憶する第2の記憶手段と、前記読み出し手段により読み出されたパターン密度と前記第3の計算手段により計算して得られたパターン密度に基づいて前記移動した強度計算ポイントがその強度計算領域内の各パターンから受ける荷電粒子線の強度を計算する第4の計算手段とを含み、前記判定手段及び読み出し手段並びに前記第3及び第4の計算手段と第2の記憶手段の処理を必要な回数繰り返すことにより、近接効果補正した各パターンの露光量を求めて露光を行うことを特徴とする荷電粒子線露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521