特許
J-GLOBAL ID:200903087499938857
窒化珪素ウィスカーの生成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
早川 政名 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-186685
公開番号(公開出願番号):特開2001-019553
出願日: 1999年06月30日
公開日(公表日): 2001年01月23日
要約:
【要約】【課題】天然鉱石の組成の不安定を避け、安定した原料のみで窒化珪素ウィスカーの生産を高効率にする。【解決手段】主成分のSiO2 に適量の炭素繊維または炭素粉末を混合し、その混合物を反応容器に入れ、これを反応炉内において窒素ガス雰囲気下で加熱しながら反応せしめて反応容器の表面に窒化珪素ウィスカーを付着生成させてなり、該窒化珪素ウィスカー生成反応時のSiOガスの分圧範囲を1×10-2〜1×10-4atm に設定する。
請求項(抜粋):
主成分のシリカ(SiO2 )に適量の炭素繊維または炭素粉末を混合し、その混合物を反応容器に入れ、これを反応炉内において非酸化雰囲気下で加熱しながら反応せしめて反応容器の表面に窒化珪素ウィスカーを付着生成させてなり、該窒化珪素ウィスカー生成反応時の一酸化珪素(SiO)ガスの分圧範囲を1×10-2〜1×10-4atm にすることを特徴とする窒化珪素ウィスカーの生成方法。
IPC (3件):
C04B 35/584
, C04B 35/76
, C22C 49/14
FI (3件):
C04B 35/58 102 M
, C04B 35/76
, C22C 1/09 V
Fターム (18件):
4G001BA04
, 4G001BA60
, 4G001BA86
, 4G001BB32
, 4G001BB86
, 4G001BC11
, 4G001BC13
, 4G001BC45
, 4G001BC48
, 4G001BC54
, 4G001BC62
, 4G001BE23
, 4K020AA02
, 4K020AA04
, 4K020AA24
, 4K020AC01
, 4K020AC02
, 4K020AC03
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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