特許
J-GLOBAL ID:200903087502240017
ビーズベースの核酸アッセイにおける半導体ナノクリスタルの使用方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-569423
公開番号(公開出願番号):特表2004-500109
出願日: 2001年03月22日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
標的ポリヌクレオチドまたはそれらに由来する増幅産物についてサンプルをアッセイするための方法、組成物および製造物品が提供される。この方法は、標的ポリヌクレオチドを含むと疑われるサンプルと、これに特異的に結合するポリヌクレオチドを接触させる工程を包含し、このポリヌクレオチドは、基材、好ましくはコードされたビーズ結合体である。増幅反応は、最初に、これが標的ポリヌクレオチドについての間接的にアッセイするために使用され得るように、この標的ポリヌクレオチドゆらいの増幅産物を生成するために使用され得る。増幅産物検出複合体およびこれを形成する方法もまた、提供される。
請求項(抜粋):
コードされたビーズ結合体であって、以下:
スペクトルコードを含むミクロスフェアであって、該スペクトルコードが、第1の蛍光特性を有する第1の半導体ナノクリスタルを含む、ミクロスフェア;ならびに
近位端および少なくとも1つの遠位端を有する第1のポリヌクレオチドであって、ここで、該第1のポリヌクレオチドが、該近位端で該ミクロスフェアに連結する、第1のポリヌクレオチド、
を含む、コードされたビーズ結合体。
IPC (7件):
C12N15/09
, C12Q1/68
, G01N21/64
, G01N21/78
, G01N33/53
, G01N33/542
, G01N33/566
FI (8件):
C12N15/00 A
, C12Q1/68 A
, G01N21/64 C
, G01N21/64 F
, G01N21/78 C
, G01N33/53 M
, G01N33/542 A
, G01N33/566
Fターム (60件):
2G043BA16
, 2G043DA02
, 2G043EA01
, 2G043FA01
, 2G043FA02
, 2G043FA06
, 2G043GA25
, 2G043GB28
, 2G043HA01
, 2G043HA06
, 2G043JA02
, 2G043JA04
, 2G043JA05
, 2G043KA02
, 2G043KA03
, 2G043KA05
, 2G043KA09
, 2G043LA03
, 2G054AA06
, 2G054AA07
, 2G054AA08
, 2G054AB05
, 2G054BB01
, 2G054BB02
, 2G054BB13
, 2G054CA21
, 2G054CA22
, 2G054CA23
, 2G054CA28
, 2G054CD04
, 2G054CE08
, 2G054EA03
, 2G054EA07
, 2G054EB01
, 2G054FA19
, 2G054GA02
, 2G054GA03
, 2G054GA04
, 2G054GA05
, 2G054GA08
, 2G054GE01
, 2G054GE05
, 2G054JA04
, 2G054JA08
, 4B024AA01
, 4B024AA20
, 4B024CA01
, 4B024CA09
, 4B024CA11
, 4B024HA14
, 4B063QA01
, 4B063QA13
, 4B063QQ41
, 4B063QR32
, 4B063QR56
, 4B063QR66
, 4B063QR83
, 4B063QS34
, 4B063QS39
, 4B063QX02
引用特許:
引用文献:
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