特許
J-GLOBAL ID：200903087502781816
コンタクトホールのプラグ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052885
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244134
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールのプラグ形成方法を提供し、工程の削減を図ると共に製品の歩留りを向上させることを目的とする。【構成】 基板11上の絶縁膜12に形成されたコンタクトホール13にプラグ形成材料15を埋め込んでプラグ17を形成する方法において、第1の工程で、基板11面に対して垂直方向にのみ成長する異方性成膜技術によって、プラグ形成材料15がコンタクトホール13の底面から上部に達するまでプラグ形成材料15をコンタクトホール13の内部及び絶縁膜12上に堆積させる。第2の工程で、プラグ形成材料15の上面に平坦化膜16を形成する。第3の工程で、平坦化膜16と絶縁膜12上に堆積したプラグ形成材料15とを除去する。
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜に形成されたコンタクトホールにプラグ形成材料を埋め込んでプラグを形成する方法において、前記基板のプラグ形成面に対して垂直方向にのみ成長する異方性成膜技術によって、前記プラグ形成材料が前記コンタクトホールの底面から当該コンタクトホールの上部に達するまで、そのプラグ形成材料を前記コンタクトホールの内部及び前記絶縁膜上に体積させる第1の工程と、前記プラグ形成材料の上面に平坦化膜を形成する第2の工程と、前記平坦化膜と前記絶縁膜上に堆積した前記プラグ形成材料とを除去する第3の工程とからなることを特徴とするコンタクトホールのプラグ形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/205
, H01L 21/3205
