特許

J-GLOBAL ID：200903087504212657

ZnSe層上にオーム接点を設ける方法

発明者： ニクヒル タスカー ,  ババー カーン
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283165
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 ZnSeのp型窒素ドープ層上にオーム接点を設ける方法を得る。【構成】 ZnSe層をHg含有液で湿潤し、該層を 200°C以上の温度に加熱することにより基板(1) に設けたZnSe層(2) 上にオーム接点を設ける方法であって、上記基板を 200°C以上であるが 350°Cより高くない温度に加熱したHg含有浴に浸漬することによりZnSe層(2) を湿潤し加熱する。この方法を用いてp型の窒素ドープしたZnSe層上にオーム接点(4) を設けることができる。 120分より長い時間後Hgx Zn1-x Se(但しxはZnSe層における0からその外表面における1まで変化する)層(3) 上に接点4が形成される。生長した層は窒素ドープしたZnSeの層にオーム接点を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けたZnSe層をHg含有液で湿潤し、該層を 200°C以上の温度に加熱することにより該層上にオーム接点を設けるに当り、上記基板を 200°C以上であるが 350°Cより高くない温度に加熱したHg含有浴に 120分より長い時間浸漬することによりZnSeの層を湿潤し加熱することを特徴とするZnSe層上にオーム接点を設ける方法。