特許
J-GLOBAL ID：200903087506531873

半導体装置およびその製造方法

発明者：
平井 健裕

平井 健裕 について

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鎌田 泰幸

鎌田 泰幸 について

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河原 博之

河原 博之 について

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中尾 一郎

中尾 一郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147255
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358336
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 ソース/ドレイン領域と配線とを接続するためのコンタクトホールがソース/ドレイン領域とSTI構造との境界部分を跨ぐように形成される場合において、その境界部分に生じる段差に起因する電流リークの発生を抑制する。【解決手段】 MOS型トランジスタおよびトレンチ分離構造41を覆う層間絶縁膜36中に形成されたコンタクトホールが、MOS型トランジスタのソース・ドレイン領域34の一部およびトレンチ分離構造41の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域34に接触するコンタクト用電極プラグ49が形成されている。素子領域の上面とトレンチ分離構造41の上面との間に形成された段差の側面に絶縁性サイドウォールスペーサ50が形成され、ソース/ドレイン領域34と電極プラグ49との間の電流リークパスを遮断している。
請求項（抜粋）：
素子領域および分離領域を有する半導体基板と、前記素子領域に形成され、1つのゲート電極と該ゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサとを有するMOS型トランジスタと、前記分離領域に形成されたトレンチと該トレンチ内に埋め込まれた絶縁物とからなるトレンチ分離構造と、前記MOS型トランジスタおよび前記トレンチ分離構造の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記MOS型トランジスタのソース/ドレイン領域の各領域に到達する第1の開口部および第2の開口部を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成された前記第1の開口部および第2の開口部を介して前記ソース/ドレイン領域にそれぞれ接触する電極とを備え、前記絶縁膜は前記層間絶縁膜のエッチストップ層となる材料により形成されており、前記第1の開口部および第2の開口部は、対応する前記ソース/ドレイン領域各領域の一部と該一部に隣接する前記トレンチ分離構造の一部とにそれぞれ跨る領域上に形成されている半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/90 D
Fターム (111件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD46 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD72 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD82 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104FF29 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH00 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK03 ,  5F033KK06 ,  5F033KK27 ,  5F033LL04 ,  5F033NN12 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX15 ,  5F033XX24 ,  5F033XX31 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG49 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BH18 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK02 ,  5F140BK16 ,  5F140BK18 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK37 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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