半導体ウェーハおよび半導体装置ならびにその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036596
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232399
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体ウェーハにおいて、半導体チップのグロス数を落とすことなく、信頼性評価TEGを配設できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、略円形のシリコンウェーハ11上に四角形の半導体チップ121 ,122 ,〜,1256をショットする。この後、半導体チップの一部が欠けてしまうために、半導体チップの形成に利用できない、シリコンウェーハ11上のデッド・スペースにTEG13をショットする。このように、半導体チップ121 ,122 ,〜,1256が形成されている領域を除く、上記シリコンウェーハ11上の外周部にTEG13をショットするようにすることで、TEGを配置することによる、半導体チップの取得数の減少を防ぐ構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体チップが形成される領域の外周部に、信頼性を評価するためのTEG(Testing Element Group )を配設してなることを特徴とする半導体ウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/66 Y , H01L 27/04 T

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