特許

J-GLOBAL ID：200903087513627290

半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール

発明者： 畠山 大 ,  工藤 耕治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194710
公開番号（公開出願番号）：特開2003-014963
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】電圧印加、電流注入などにより駆動する能動部と、曲線導波路、光カプラ、光フィルタ、反射器等の受動導波路部が同一基板上にモノリシックに集積された半導体光集積素子を、より簡易に歩留まりよく製造可能な技術を提供する。【構成】 光集積素子の製造において、電流注入あるいは電圧印加等の手段により駆動する能動部の活性層を、選択成長による直接一括形成により形成し、曲線導波路、光カプラ等の受動導波路部のコアをエッチングにより形成する光集積構造及び製造方法により、バンドギャップ波長組成の異なる複数の活性層や導波路アレイ回折格子型合・分波器等の複雑な受動導波路を有する光集積素子を極めて簡易に歩留まりよく実現でき、素子の高性能化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

活性層を有する能動部と導波層を有する受動導波路部とを備えた半導体光集積素子であって、前記受動導波路部の導波層は第一の半導体層上に第二の半導体層が積層された積層構造を有し、前記第一の半導体層は前記能動部の活性層と連続した層として基板上に一体に形成され、前記導波層のバンドギャップ波長組成が前記活性層のバンドギャップ波長組成よりも短いことを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (4件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/017 503 ,  H01S 5/026 618

FI (4件)：

G02F 1/017 503 ,  H01S 5/026 618 ,  G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 M

Fターム (21件)：

2H047KA04 ,  2H047KA05 ,  2H047KA12 ,  2H047LA11 ,  2H047LA18 ,  2H047MA07 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H079AA02 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  5F073AA46 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB12 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA24