特許

J-GLOBAL ID：200903087515951222

半導体装置の製造方法

発明者： 谷内 正治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294638
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 バリア金属層を有する半導体装置の製造方法において、バリア金属層の表面に生成されたTiFおよびTiOによりバリア金属層のエッチング除去を完全に行えず、残留したバリア金属層の一部により金属配線同士が短絡することを防止可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板10のバリア金属層14対してN2ガスのプラズマ40を照射するとともに、ヒータ50により半導体基板10を加熱する。このN2ガスのプラズマ40の照射により、バリア金属層14の表面に生成されたTiFおよびTiOよりなる変質部20は再窒化されてTiNに戻るので、バリア金属層のエッチングを妨げるものがなくなり、バリア金属層がエッチング仕切れずに残留することがなくなり、金属配線同士の短絡を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に選択的に開口部を形成して前記絶縁膜の下の層の一部を露出させる工程と、前記絶縁膜および露出させた前記下の層の上にTiを含むバリア金属層を形成する工程と、前記バリア金属層上にプラグ形成層を形成する工程と、前記プラグ形成層をエッチングバックすることによりプラグを形成する工程と、露出した前記バリア金属層の表面に生成されたTiN以外のTi化合物を窒化する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R

Fターム (29件)：

4M104BB14 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX21 ,  5F033XX31