特許

J-GLOBAL ID：200903087518005670

磁気抵抗効果型磁気ヘッド

発明者： 荒井 礼子 ,  渡辺 克朗 ,  府山 盛明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340303
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180134
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗効果膜に充分大きい縦バイアス磁界を印加するために、縦バイアス印加層を構成する強磁性膜と反強磁性膜との間の交換結合磁界を大きくする。【解決手段】磁気抵抗効果膜20の両脇に配置した縦バイアス印加層21を、強磁性膜50/反強磁性膜40/強磁性膜30の三層構造あるいはそれ以上の積層構造にする。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜が実質的に中央の感磁部領域のみに形成され、前記磁気抵抗効果膜の端部領域の一方上に感磁部のエッジに密着して前記磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加するための縦バイアス印加層が形成される磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記縦バイアス印加層が少なくとも三層の積層膜で構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。