半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曽々木太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072278
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235474
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】戻り光量を実質上ゼロとすることにより、戻り雑音を確実に防止することができるレーザピックアップ用半導体レーザ及びそれを用いてなるレーザピックアップ装置を提供する。【構成】本発明の半導体レーザは、レーザ出力部を有する積層体が、一方の電極1上に配設された傾斜基板2上に第1クラッド層3、活性層4、第2クラッド層5、電流阻止層6、キャップ層7および他方の電極8がこの順で形成されてなる積層体を用い、前記レーザ出力部の出射端面が前記基板2の傾斜方向に対して直角にへき開されているものである。。本発明のレーザピックアップ装置はこのようにして構成された半導体レーザを用いてなるものである。

請求項（抜粋）：

レーザピックアップに用いられる半導体レーザであって、一方の電極上に配設された傾斜基板上にレーザ出力部を有する積層体が形成され、前記レーザ出力部の出射端面が前記基板の傾斜方向に対して直角にへき開されてなることを特徴とする半導体レーザ。

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