特許
J-GLOBAL ID：200903087520503114
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148678
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314767
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 DRAMの機能切り換えに合わせてクロック発生周期を変えることのできる半導体記憶装置を得ること。【構成】 それぞれ周波数の異なる基準クロックを発生する複数の発振回路300,301を設け、信号MR8に基づいて上記発振回路300,301のうちの1つを発振させる発振回路切換手段302を設け、該発振回路切換手段302により選択された出力P1,P2 を分周回路303により分周するようにした。
請求項（抜粋）：
セルフリフレッシュ用クロック発生回路を有し、該セルフリフレッシュ用クロック発生回路の出力するリフレッシュパルスに基づいてセルフリフレッシュを行なう機能を有する半導体記憶装置において、上記セルフリフレッシュ用クロック発生回路は、周期の異なる複数種類のパルスを発生可能なパルス発生手段と、上記パルス発生手段で発生するパルスの周期を切り換えるリフレッシュサイクル選択信号とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/403
, G11C 11/407
G11C 11/34 363 M
, G11C 11/34 354 C
