特許
J-GLOBAL ID：200903087525409183
ジルコニア電解質粉体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村瀬 一美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323375
公開番号（公開出願番号）：特開平7-149521
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月13日
要約：
【要約】【目的】 導電性向上用のドーパントを添加したジルコニア電解質粉体を焼結してセラミックスを得る際の焼結挙動を制御する。【構成】 導電率向上用のドーパントを添加したジルコニア電解質粉体中のSiO<SB>2 </SB>、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Na<SB>2 </SB>Oの化合物あるいは混合物の含有量をそれぞれx、y、zとすると、SiO<SB>2 </SB>(0<x≦1重量%)、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(0<y≦5重量%)、Na<SB>2 </SB>O(0<z≦2重量%)の範囲に調整する。このジルコニア電解質粉体により得た電解質1と空気極3と燃料極2とを積層したものを焼結する共焼結法に用いると、低温にて焼成できるので、信頼性の高い単セル4を製造できる。
請求項（抜粋）：
導電率向上用のドーパントを添加したジルコニア電解質粉体中のSiO<SB>2 </SB>、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Na<SB>2 </SB>Oの化合物あるいは混合物の含有量をそれぞれx、y、zとすると、SiO<SB>2 </SB> 0<x≦1重量%Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB> 0<y≦5重量%Na<SB>2 </SB>O 0<z≦2重量%の範囲としたことを特徴とするジルコニア電解質粉体。
IPC (4件)：
C01G 25/00
, C04B 35/48
, H01M 8/02
, H01M 8/10
