特許

J-GLOBAL ID：200903087529415269

線形固体撮像素子

発明者： ギョン・ス・リ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248370
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240505
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 電荷転送効率を極大化させた固体撮像素子を提供する。【構成】 フォトダイオードを両端部の幅が異なる細長い台形状とした。【効果】 フォトダイオード領域とHCCD領域とで傾斜した電位分布が得られるので、電荷転送側面では転送効率を改善させ、第1ポリゲート電極及び第2ポリゲート電極に印加されるクロック周波数が高くなっても転送効率を保持することが可能である。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン基板(21)と、上記基板(21)の一側に形成され、一定の接合深さを有する第2導電型の第1ウェル(22)と、上記基板(21)の他側に形成され、第1ウェル(22)よりも大きい接合深さを有する第2導電型の第2ウェル(23)と、上記第1ウェル(22)上に両端部の幅が異なる細長い台形構造とされたものを複数並列に並べられる第1導電型を有する信号電荷発生用のフォトダイオード領域(24)と、上記フォトダイオード領域(24)の両側の第2ウェル(23)上に形成され、上記フォトダイオード領域(24)からの信号電荷を出力増幅器へ転送するための第1導電型の2つのHCCD領域(25)と、上記フォトダイオード領域(24)とHCCD領域(25)との間の基板(21)上に形成され、上記フォトダイオード領域(24)に蓄積された電荷をHCCD領域(25)へ転送するためのシフトゲート(28)と、上記フォトダイオード領域(24)とHCCD領域(25)との間の第1ウェル(22)上に形成され、上記シフトゲート(28)の下部で六角形構造を有する第2導電型のシフトゲートチャンネル領域(26)と、各フォトダイオード領域(24)の表面上に形成された第2導電型の複数のポテンシャル障壁形成層(27)と、上記HCCD領域(25)上部の基板(21)上に形成され、上記フォトダイオード領域(24)から転送された電荷を出力増幅器に転送するための複数のポリゲート(29)と、上記シフトゲート(28)と上記ポリゲート(29)との間の基板(21)上に形成され、上記シフトゲート(28)とポリゲート(29)とを絶縁させるための絶縁層(30)と、ポテンシャル障壁を形成してセル間を隔離させる第2導電型のチャンネルストップ領域(31)とを含むことを特徴とする線形固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 1/028