特許

J-GLOBAL ID：200903087534754861

CVD-Ti膜の成膜方法

発明者： 池田 太郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-013483
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204457
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト抵抗が安定し、下地のSiとの界面のモホロジーが良好となるTi膜を成膜することができるCVD-Ti膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 コンタクトホール46の底に存在するSi基板41上にTiCl4ガスを含む成膜ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜するにあたり、下地のSi上に存在する自然酸化膜50が残存した状態で前記TiCl4ガスを含む成膜ガスを供給してTi膜を成膜し、Si基板41の上にTiSi2層51を形成する。

請求項（抜粋）：

Si基板上またはその上のSi膜上にTiCl4ガスを含む成膜ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜するにあたり、下地のSi上に存在する自然酸化膜が残存した状態で前記TiCl4ガスを含む成膜ガスを供給してTi膜を成膜することを特徴とするCVD-Ti膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/205