特許
J-GLOBAL ID：200903087541678127
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102660
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298438
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 比較的簡単な構成でもって、半導体集積回路装置内に形成された複数の単位フィルタの特性を高精度かつ再現性良く設定できるようにする。【構成】 半導体集積回路装置内に形成されているフィルタに基準周波数信号を伝達させ、そのフィルタの入力側信号と出力側信号との間の位相差が一定となるように、そのフィルタのパラメータ可変素子に与えられる制御電圧を負帰還制御する位相制御ループを形成するとともに、上記制御信号を他の同一構成のフィルタのパラメータ可変素子に制御電圧として分配させる。【効果】 各フィルタの特性を同一に揃えることができる。
請求項（抜粋）：
遮断周波数特性のパラメータ要素として電気的に制御可能な可変素子を有する単位フィルタが、同一半導体基板に同一構成で複数形成されている半導体集積回路装置であって、上記単位フィルタを使って基準周波数信号を伝達する基準フィルタ回路を形成し、この基準フィルタ回路に入力される前の基準周波数信号とこの基準フィルタ回路を通過した後の基準周波数信号との間の位相差が一定となるように、その基準フィルタ回路を形成する単位フィルタのパラメータ可変素子に与えられる制御電圧を負帰還制御する位相制御ループを形成するとともに、上記制御信号を他の同一構成の単位フィルタのパラメータ可変素子に制御電圧として分配させるようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 11/04 H
, H03H 11/12 A
