特許
J-GLOBAL ID：200903087542547476
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青山 葆
, 河宮 治
, 稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071808
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】組立時の熱ストレスの影響を受けることなく、設計どおり基本モードで発振させることができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置10は、金属製のステム2と、ステムの一方の面に接合されたリッジ型半導体レーザチップ1とを備え、リッジ型半導体レーザチップは、ステムに接合されている第1電極層11と、第1電極層の上に順に積層された、第1導電型の基板12と、第1導電型の第1クラッド層13と、活性層14と、少なくとも層厚が2段階の部分を有する第2導電型の第2クラッド層15と、第2クラッドの2段階の部分のうち相対的に層厚が薄い部分を覆う絶縁体層17と、第2クラッド層の2段階の部分のうち相対的に層厚が厚い部分で電気的に接続された第2電極18とを備えると共に、横基本モードのレーザ光を発振する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属製のステムと、
前記ステムの一方の面に接合されたリッジ型半導体レーザチップと
を備え、
前記リッジ型半導体レーザチップは、前記ステムに接合されている第1電極層と、前記第1電極層の上に順に積層された、第1導電型の基板と、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、少なくとも層厚が2段階の部分を有する第2導電型の第2クラッド層と、前記第2クラッドの前記2段階の部分のうち相対的に層厚が薄い部分を覆う絶縁体層と、前記第2クラッド層の前記2段階の部分のうち相対的に層厚が厚い部分で電気的に接続された第2電極とを備えると共に、横基本モードのレーザ光を発振することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073BA05
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073EA28
, 5F073FA15
