特許
J-GLOBAL ID：200903087551637364
半導体レーザの評価方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218477
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045707
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザの特性評価をオンウエハ状態で効率良く行い、かつ、信頼性のあるレーザ素子を得る。【構成】 半導体レーザ8部分と評価用ホトダイオード9部分との間に導波路部分15を除いてへき開誘導溝14を形成するとともに、評価用ホトダイオード9部分にドライエッチングによりレーザ端面10を形成し、これを共振器端面としてオンウエハで半導体レーザ8の特性評価を行う。評価後は、半導体レーザ8部分をへき開してへき開端面12を有するレーザ単体素子を得る。【効果】 特性評価用のレーザ端面をドライエッチングで形成するため、オンウエハで特性評価が行え、評価後はへき開でレーザ素子を得るため信頼性の良い半導体レーザ素子が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザのオンウエハ評価方法において、同一基板上に半導体レーザと評価用ホトダイオードとを形成する工程と、該評価用ホトダイオード部分に、ドライエッチングによりレーザ端面を形成する工程と、オンウエハ状態で上記ドライエッチングにより形成した端面を用いレーザ発振させ、レーザの初期特性を上記評価用ホトダイオードで評価する工程と、オンウエハでの評価後、上記評価用ホトダイオード部分と半導体レーザ部分とをへき開により分離し、へき開端面を有する半導体レーザを作製する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの評価方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01S 3/00
, H01L 33/00
