特許
J-GLOBAL ID：200903087551861167
ダイヤモンド発生核の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104737
公開番号（公開出願番号）：特開平6-316488
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、ダイヤモンドを合成するための基板の表面に、容易にかつ簡便に、ダイヤモンド発生核を高い密度で再現性よく発生させることができ、ダイヤモンドの生産性を向上させることができる、ダイヤモンド発生核の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 請求項1に記載の発明は、基板の表面に、Fe、Co、NiおよびMnからなる群より選択される一種以上を合計200ppm以上含有するダイヤモンド粒子を用いて傷付け処理を行なうことにより、ダイヤモンド発生核を形成することを特徴とするダイヤモンド発生核の形成方法である。
請求項（抜粋）：
基板の表面に、Fe、Co、NiおよびMnからなる群より選択される一種以上を合計200ppm以上含有するダイヤモンド粒子を用いて傷付け処理を行なうことを特徴とするダイヤモンド発生核の形成方法。
IPC (2件)：
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