特許
J-GLOBAL ID：200903087553866301
磁気カードおよびその製造方法とそれを用いた磁気記録方式
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296795
公開番号（公開出願番号）：特開平8-161730
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 容易に新規情報を記録できるとともに偽造防止が可能である磁気カードおよびその製造方法とそれに用いる磁性粉の製造方法とを提供すること。【構成】 磁気カードの磁性層は,5.0kOe以上の保磁力を有するとともに,前記保磁力の多くとも1/2の印加磁界で飽和磁化の25%以上の磁化を有する磁性粉により形成されている。この磁性粉は,一般式R×T100-X (ただし,RはSmを主成分とする少なくとも1種のYを含む希土類元素,TはCoを主成分とする少なくとも1種の遷移金属で,16.0≦×≦22.0at%)で表されれるrう。この磁性層への記録は容易に行えるが,記録した情報の消去及び書き換えが困難もしくは不可能である。この磁性層に用いる磁性粉を製造するには,上記一般式で示される,インゴット,焼結体,及び焼結体とRD粉末との混合物の内のいずれか一種からなる合金を粉砕した後,さらに,真空あるいは不活性雰囲気下で750〜1200°Cの温度で熱処理を施して製造する。
請求項（抜粋）：
磁性層を備え,面内長手方向に磁気記録を行なう磁気カードにおいて,前記磁性層は,5.0kOe以上の保磁力を有するとともに,前記保磁力の多くとも1/2の印加磁界で飽和磁化の25%以上の磁化を有する磁性粉により形成され,前記磁性粉は,一般式R×T100-X (ただし,RはSmを主成分とする少なくとも1種のYを含む希土類元素,TはCoを主成分とする少なくとも1種の遷移金属で,16.0≦×≦22.0at%)で表され,前記磁性層への記録は容易に行えるが,記録した情報の消去及び書き換えが困難もしくは不可能としたことを特徴とする磁気カード。
IPC (5件)：
G11B 5/704
, G11B 5/00
, G11B 5/82
, G11B 5/84
, H01F 1/06
