MOS型半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：最上健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289549
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102466
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】ボロン等のP型不純物の侵入による反転電圧の変動のない、高濃度のP型ゲート電極を備えたMOSFETを有するMOS型半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】フィールド酸化膜1及びゲート酸化膜2を形成したN型半導体基板3に低濃度のP型多結晶シリコン4を形成し、その上に薄いシリコン酸化膜5を形成したのち第2多結晶シリコン6を形成し、フォトリソ工程でゲート電極7を形成する。次に高濃度のBF2 をイオン注入して、ソース・ドレイン領域8を形成すると共にゲート電極7の第2多結晶シリコン6を高濃度のP型にドープし、活性化を行う。この際、高濃度多結晶シリコン6から低濃度多結晶シリコン4へのボロンの拡散は、シリコン酸化膜5により制限される。

請求項（抜粋）：

N型半導体領域にゲート酸化膜を介して形成されたP型多結晶シリコンよりなるゲート電極を有するMOS型半導体装置において、前記ゲート電極が薄いシリコン酸化膜によって相対的に低濃度の下層と相対的に高濃度の上層に分離されて構成されていることを特徴とするMOS型半導体装置。

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