特許
J-GLOBAL ID:200903087564094556

透明基板上の回路ライン接続方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-064081
公開番号(公開出願番号):特開平6-053638
出願日: 1993年03月23日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】【目的】 レーザCVD(化学的気相成長法)により透明な基板上の回路を周囲温度で相互接続/修復する方法を提供する。【構成】 (a)反応性金属前駆体化合物ガスを基板に接触させ、(b)波長が300nmを超えるレーザ・ビームを離隔した回路ラインの一方に集束させて回路ラインを加熱し、回路ライン及び隣接領域上に金属を析出させ、(c)上記集束したレーザ・ビームを他方の回路ライン方向へ移動させ、金属の薄膜を基板上に形成し、離隔した回路ラインを接続する。
請求項(抜粋):
透明基板上の隔離した回路ラインを接続する方法であって、(a)反応性金属前駆体化合物ガスを上記基板に接触させるステップと、(b)波長が300nmよりも大きいレーザ・ビームを上記回路ラインの一方に集束させて上記回路ラインを加熱し、上記回路ライン及び上記基板の隣接する領域に金属を析出させるステップと、(c)上記集束したレーザ・ビームを他方の回路ライン方向へ移動させて、上記基板に金属を析出させ、上記回路ラインを接続するステップと、を含む接続方法。
IPC (3件):
H05K 3/22 ,  G02F 1/1343 ,  H05K 3/32

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