特許

J-GLOBAL ID：200903087566219640

金属バンプの形成方法

発明者： 東 和司 ,  米澤 隆弘 ,  中尾 修 ,  大谷 博之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025592
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217274
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 金属ボールが変形する前に超音波を印加し接合面の安定した合金形成を実現して、接合信頼性の向上を図ることができるようにする。【解決手段】 ボンディングキャピラリ1を通した金属ワイヤ2の先端を溶融して金属ボール3を形成し、この金属ボール3が半導体素子4の電極5と接触して変形する前に超音波印加を開始し、この金属ボール3を変形させながら接合部を広げることにより半導体素子4の電極5に接合するようにした。

請求項（抜粋）：

ボンディングキャピラリを通した金属ワイヤの先端を溶融して金属ボールを形成し、この金属ボールが半導体素子の電極と接触して変形する前に超音波印加を開始し、この金属ボールを変形させながら接合部を広げることにより半導体素子の電極に接合するようにしたことを特徴とする金属バンプの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/10 ,  B23K101:40

FI (5件)：

H01L 21/60 301 H ,  B23K 20/00 H ,  B23K 20/10 ,  B23K101:40 ,  H01L 21/92 604 J

Fターム (10件)：

4E067AA08 ,  4E067BF00 ,  4E067DA16 ,  4E067DC01 ,  4E067DC04 ,  4E067EA05 ,  4E067EB00 ,  5F044BB01 ,  5F044BB09 ,  5F044QQ04