特許
J-GLOBAL ID：200903087566755290
半導体波長板型偏波回転素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109159
出願日： 1997年10月02日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 光通信,光交換,光情報処理等に用いる、半導体波長板型偏波回転素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本方法は、半導体基板上に形成され、該基板面から異なる高さに平行に配置された2本の半導体導波路からなる半導体波長板型偏波回転素子の製造方法において、半導体基板21に段差を形成する工程と、上記半導体基板上に、導波路のコアとなる半導体層を成長する工程と、上記コア層となる半導体層を矩形断面を有する相互に平行なストライプ状に加工して、上記半導体基板上の段差の上段部及び下段部のそれぞれの部分に一本づつ導波路コア23a,23bを形成する工程と、上記半導体基板上に、上記2本の導波路コア23a,23bを埋め込むように、半導体基板と同一の半導体材料25を成長する工程とを含むものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、該基板面から異なる高さに平行に配置された2本の半導体導波路からなる半導体波長板型偏波回転素子の製造方法において、半導体基板に段差を形成する工程と、上記半導体基板上に、導波路のコアとなる半導体層を成長する工程と、上記コア層となる半導体層を矩形断面を有する相互に平行なストライプ状に加工して、上記半導体基板上の段差の上段部及び下段部のそれぞれの部分に一本ずつ導波路コアを形成する工程と、上記半導体基板上に、上記2本の導波路コアを埋め込むように、半導体基板と同一の半導体材料を成長する工程とを含むことを特徴とする半導体波長板型偏波回転素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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