特許
J-GLOBAL ID：200903087567846982
発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192135
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040848
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 保護回路と樹脂の受け皿の機能をもつ過電圧保護素子を内蔵した信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】 Siダイオード素子2がリードフレーム13a先端に下面上のn電極9をリードフレーム13aに接触させながらダイスボンディングされている。Siダイオード素子2の上方には、GaN・LED素子1がサファイア基板側を上方にし、そのp電極5とSiダイオード素子2のn電極8と、またn電極6とSiダイオード素子2のp電極7とがAuマイクロバンプ11を介して、それぞれ電気的に接続されている。さらにSiダイオード素子2のp電極のボンディングパッド部10とリードフレーム13bはAuワイヤーにより接続されている。またGaN・LED素子1の発光波長を他の波長に変換する蛍光物質17を含有した第一の樹脂16が、Siダイオード素子2を受け皿として、GaN・LED素子1を覆うように塗布されている。これにより信頼性の高い発光装置が得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と該絶縁基板上に形成された半導体膜とにより構成され、かつ上記半導体膜の上面付近にp型半導体領域とn型半導体領域とが形成されてp型半導体領域-n型半導体領域間に印加される電圧に応じて発光するように構成された発光素子と、上記発光素子の下に重なる状態で配置され、上記発光素子の上記p型半導体領域と上記n型半導体領域とにそれぞれ電気的に接続される2つの極部を有するサブマウント部材と、上記発光素子の発光波長を他の波長に変換する蛍光物質、または上記発光素子の発光波長を一部吸収するフィルター物質を含有した第一の樹脂と、上記第一の樹脂及びサブマウント部材を包囲する第二の樹脂とを備えるとともに、上記第一の樹脂が、上記サブマウント部材を受け皿として、上記サブマウント部材の上に配置された上記発光素子を覆うように塗布されていることを特徴とする発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 23/60
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 M
, H01L 33/00 N
, H01S 3/18
, H01L 23/56 B
