特許
J-GLOBAL ID:200903087567972295

積層型圧電体素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 均
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-192896
公開番号(公開出願番号):特開平7-022664
出願日: 1993年07月06日
公開日(公表日): 1995年01月24日
要約:
【要約】【目的】 ダミー層などを設けたりすることなく、積層体の上・下面に外部電極が回り込むことを容易かつ確実に防止することが可能で、素子厚みを特に大きくしたり、ラップ工程を設けたりすることを必要とせずに、上・下面の平坦性を確保することが可能な積層型圧電体素子の製造方法を提供する。【構成】 圧電体層1と内部電極2a,2bとの積層体3の上・下面3a,3bに、外部電極形成用材料をはじく物質12が塗布された状態で、内部電極2a,2bが引き出された側面3c,3dに外部電極形成用材料14a,14bを付着させることにより外部電極4a,4bを形成する。
請求項(抜粋):
複数の圧電体層と、圧電体層間に配設された内部電極と、内部電極が引き出された側面に形成された外部電極とを備えてなる積層型圧電体素子の製造方法において、圧電体層と内部電極との積層体の上・下面に、外部電極形成用材料をはじく物質が塗布された状態で、前記内部電極が引き出された側面に外部電極形成用材料を付着させて外部電極を形成することを特徴とする積層型圧電体素子の製造方法。
IPC (2件):
H01L 41/22 ,  H01L 41/083
FI (2件):
H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 S

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