特許
J-GLOBAL ID：200903087570770733
窒化けい素回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344235
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069590
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【目的】窒化けい素焼結体が本来備える高強度高靭性特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善できる一方、半導体装置へのアッセンブリ工程における実装性を改善した窒化けい素回路基板を提供する。【構成】熱伝導率が60W/m・K以上、好ましくは90W/m・K以上である高熱伝導性窒化けい素基板2に回路層4を一体に接合した回路基板1であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板2上に回路層4を介して複数の半導体素子6を搭載したことを特徴とする。上記回路層4は、直接接合法,活性金属法またはメタライズ法によって形成される。
請求項（抜粋）：
希土類元素を酸化物に換算して2.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以上である高熱伝導性窒化けい素基板に回路層を接合した回路基板であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板上に回路層を介して複数の半導体素子を搭載したことを特徴とする窒化けい素回路基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/14 C
, H01L 23/36 M
