特許

J-GLOBAL ID：200903087584922323

液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 高田 学 ,  向井 信夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030119
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 表面リーク電流値を下げ、画像ムラを防止する。【構成】 絶縁基板上にゲート電極層を形成する工程と、このゲート電極層上に所定の絶縁層を介して半導体層を形成する工程と、この半導体層上に少なくともモリブデン(Mo)を含有するソース・ドレイン電極層を形成する工程と、モリブデン(Mo)から生成したモリブデン酸化物を除去する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極層を形成する工程と、前記ゲート電極層上に所定の絶縁層を介して半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に少なくともモリブデン(Mo)を含有するソース・ドレイン電極層を形成する工程と、前記モリブデン(Mo)から生成したモリブデン酸化物を除去する工程とからなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/40