特許

J-GLOBAL ID：200903087585364189

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 浩二郎 ,  八木 能彦 ,  吉野 道朗
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259789
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068939
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体ベアチップ上の受光素子が汚染されず、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 受光素子を備えた半導体ベアチップを実装するプリント回路基板1には、開口部1aの周縁部に枠状の突起部1bが設けられている。開口部1aは、前記受光素子に対応する位置に形成されている。半導体ベアチップをプリント回路基板1上にフリップチップ実装する際には、半導体ベアチップを突起部1bの頂部に当接させる。

請求項（抜粋）：

受光素子を備えた半導体ベアチップが回路基板上にフリップチップ実装されており、前記回路基板には前記受光素子に対応する位置に開口部が設けられ、前記半導体ベアチップと前記回路基板との間が封止樹脂にて封止されている半導体装置において、前記回路基板には前記開口部の周縁部に枠状の突起部が設けられており、前記半導体ベアチップが、前記突起部の頂部に当接して実装されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 31/02

FI (3件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 31/02 B

Fターム (12件)：

4M109AA01 ,  4M109DA05 ,  4M109DA06 ,  4M109DB07 ,  4M109GA01 ,  5F044KK01 ,  5F044LL13 ,  5F088BA16 ,  5F088BA20 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA09