特許
J-GLOBAL ID：200903087592471713
半導体基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216136
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 ゲッタリング能力を有する第1の半導体基板と欠陥の少ない第2の半導体基板との接着強度が十分で、かつ第1の半導体基板のゲッタリング能力も活かせる半導体基板を提供する。【構成】 ゲッタリング能力を有する第1の半導体基板上に選択的に配設された絶縁膜を介して、該第1の半導体基板上に欠陥の少ない第2の半導体基板が固設されている半導体基板とその製造方法。
請求項（抜粋）：
ゲッタリング能力を有する第1の半導体基板上に選択的に配設された絶縁膜を介して、該第1の半導体基板上に欠陥の少ない第2の半導体基板が固設されてなることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
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