特許
J-GLOBAL ID:200903087595780148
半導体薄膜の形成方法及びそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 晴敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-056205
公開番号(公開出願番号):特開2002-261009
出願日: 2001年03月01日
公開日(公表日): 2002年09月13日
要約:
【要約】【課題】 残留水素の突沸を抑制可能な半導体薄膜の形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタを製造方法する為、絶縁性の基板0上に水素を含有する非晶質の半導体薄膜4を成膜する成膜工程と、ランプにより半導体薄膜4を加熱して水素を脱離する脱水素工程と、半導体薄膜4を絶縁性の被覆膜CPで覆う被膜工程と、被覆膜CPを介して半導体薄膜4にレーザ光を照射し、半導体薄膜4を非晶質から多結晶に転換する結晶化工程とを行う。成膜工程から結晶化工程までの全ての工程間又は何れか一部の工程間で、基板0を大気に触れることなく真空又は不活性雰囲気中で搬送する。脱水素工程は、成膜段階で1%以上の水素を含有する半導体薄膜4をランプで加熱して残留水素が0.5%以下となる様に水素を脱離する。
請求項(抜粋):
絶縁性の基板上に水素を含有する非晶質の半導体薄膜を成膜する成膜工程と、ランプにより該半導体薄膜を加熱して水素を脱離する脱水素工程と、該半導体薄膜を絶縁性の被覆膜で覆う被膜工程と、該被覆膜を介して該半導体薄膜にレーザ光を照射し、該半導体薄膜を非晶質から多結晶に転換する結晶化工程とを行うことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (9件):
H01L 21/20
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, H01L 21/26
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (9件):
H01L 21/20
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H01L 21/26 F
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 Z
Fターム (92件):
2H092GA29
, 2H092JA24
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JA46
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092NA21
, 2H092PA01
, 3K007AB07
, 3K007AB11
, 3K007BA06
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 3K007FA02
, 3K007FA03
, 5C094AA23
, 5C094BA03
, 5C094BA29
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA14
, 5C094DA15
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094EB02
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094HA10
, 5F052AA02
, 5F052BB07
, 5F052DA02
, 5F052DB03
, 5F052EA01
, 5F052EA15
, 5F052JA01
, 5F052JA02
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110CC08
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE09
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF31
, 5F110FF32
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG45
, 5F110GG52
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL23
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110PP35
, 5F110PP40
, 5F110QQ09
, 5F110QQ19
, 5F110QQ23
, 5F110QQ30
前のページに戻る